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UPA802T-T1

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

The µPA802T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • High Gain |S21e|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • A Mini Mold Package Adopted

NEC

瑞萨

UPA802T-T1

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

The µPA802T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • High Gain |S21e|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • A Mini Mold Package Adopted

RENESAS

瑞萨

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 包装:卷带(TR) 描述:RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

CEL

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:236.48 Kbytes Page:10 Pages

CEL

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:606.19 Kbytes Page:9 Pages

CEL

UPA802T-T1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPA802T-T1

  • 制造商

    NEC

  • 制造商全称

    NEC

  • 功能描述

    HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

更新时间:2025-9-26 10:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
19+
SOT-363
200000
NEC
24+
SOT-363/SOT-323-6
18200
新进库存/原装
NEC
新年份
SOT-363
168000
原装正品大量现货,要多可发货,实单带接受价来谈!
SOT-363
23+
NA
15659
振宏微专业只做正品,假一罚百!
RENESAS
17+
SOT363
12000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
2511
SOT363
12000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
NEC
24+
SOT-363
168000
原装现货假一赔十
24+
N/A
75000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
NEC
24+
SOT-363
65200
一级代理/放心采购
NEC
2012+PB
SOT-363
168000
原装正品 可含税交易

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