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UPA2825T1S-E2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features • VDSS = 30 V (TA = 25°C) • Low on-state resistance ⎯ RDS(on) = 4.6 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 24 A) • 4.5 V Gate-drive available • Small & thin type surface mount package with heat spreader (HWSON-8) • Pb-free, Halogen Free

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-8-11 13:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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HWSON-8
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