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UPA2757GR-E2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) • Low gate charge QG = 10 nC TYP. (VGS

NEC

瑞萨

UPA2757GR-E2-AT

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

DESCRIPTION The μ PA2757GR is Dual N-channel MOS Field Effect Transistors designed for switching application. FEATURES • Low on-state resistance RDS(on)1 = 36.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A) RDS(on)2 = 50.0 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 3.0 A) • Low gate charge QG = 10 nC TYP. (VGS = 10 V)

RENESAS

瑞萨

UPA2757GR-E2-AT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UPA2757GR-E2-AT

  • 功能描述

    MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    -

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-10-4 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
NA/
3724
原装现货,当天可交货,原型号开票
RENESAS(瑞萨)/IDT
24+
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
RENESAS(瑞萨)
22+
SOP8
9000
原装正品,支持实单!
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
NEC
2447
QFN8
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
RENESAS
24+
SOP8
16900
原装正品现货支持实单
RENESAS
20+
SOP-8
63258
原装优势主营型号-可开原型号增税票
RENESAS
17+
SOP8
2500
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
NEC
2023+
QFN8
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
NK/南科功率
2025+
SOP8
986966
国产

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