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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2210T1MisP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=29mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−7.2A) RDS(on)2=41mΩMAX.(VGS=−2.5V,ID=−3.6A)

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2024-6-24 11:36:00
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