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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2200T1MisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4A) •Bui

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2024-6-17 18:30:00
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    2020-8-7
  • UP7534CMA5-15原装正品价格优势

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    2019-3-6
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    2013-1-9