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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2200T1MisN-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forpowermanagementapplicationsofportableequipments,suchas loadswitch. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=23mΩMAX.(VGS=10V,ID=8A) RDS(on)2=31mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=4A) •Bui

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瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS
更新时间:2024-9-26 9:38:01
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    2020-8-7
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    2019-3-6
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    2013-1-9