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UN411D晶体管资料
UN411D别名：UN411D三极管、UN411D晶体管、UN411D晶体三极管
UN411D生产厂家：日本松下公司
UN411D制作材料：Ge-PNP
UN411D性质：数字电路用 （Digi）
UN411D封装形式：
UN411D极限工作电压：50V
UN411D最大电流允许值：0.1A
UN411D最大工作频率：<1MHZ或未知
UN411D引脚数：
UN411D最大耗散功率：0.3W
UN411D放大倍数：
UN411D图片代号：NO
UN411Dvtest：50
UN411Dhtest：999900
- UN411Datest：0.1
UN411Dwtest：0.3
UN411D代换 UN411D用什么型号代替：
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UN411D | Silicon PNP epitaxial planer transistor Silicon PNP epitaxial planar type For digital circuits ■ Features • Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts • New S type package, allowing supply with the radial taping | PANASONIC 松下 |   | |
UN411D | Silicon PNP epitaxial planar type 文件：384.27 Kbytes Page：15 Pages | PANASONIC 松下 | | |
High-Speed Video Op Amp with Disable 文件：640.82 Kbytes Page：8 Pages | NSC 国半 | | ||
High-Speed Video Op Amp with Disable 文件：640.82 Kbytes Page：8 Pages | NSC 国半 | | ||
High-Speed Video Op Amp with Disable 文件：640.82 Kbytes Page：8 Pages | NSC 国半 | | ||
Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier 文件：456.14 Kbytes Page：12 Pages | NSC 国半 | | ||
Low Offset, Low Drift JFET Input Operational Amplifier 文件：456.14 Kbytes Page：12 Pages | NSC 国半 | |
UN411D产品属性
- 类型
描述
- 型号
UN411D
- 制造商
PANASONIC
- 制造商全称
Panasonic Semiconductor
- 功能描述
Silicon PNP epitaxial planer transistor
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Panasonic |
24+ |
TO-92S |
65200 |
一级代理/放心采购 |
UN411D芯片相关品牌
UN411D规格书下载地址
UN411D参数引脚图相关
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2020-10-31
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