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UN111E晶体管资料

  • UN111E别名:UN111E三极管、UN111E晶体管、UN111E晶体三极管

  • UN111E生产厂家:日本松下公司

  • UN111E制作材料:Si-P+R

  • UN111E性质

  • UN111E封装形式:直插封装

  • UN111E极限工作电压:50V

  • UN111E最大电流允许值:0.1A

  • UN111E最大工作频率:<1MHZ或未知

  • UN111E引脚数:3

  • UN111E最大耗散功率:0.4W

  • UN111E放大倍数

  • UN111E图片代号:A-68

  • UN111Evtest:50

  • UN111Ehtest:999900

  • UN111Eatest:0.1

  • UN111Ewtest:0.4

  • UN111E代换 UN111E用什么型号代替:AN1L4L,RN2009,DTA144WS,2SA1347,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
UN111E

Silicon PNP epitaxial planer transistor

Silicon PNP epitaxial planar transistor For digital circuits ■ Features • Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts • M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed circuit boa

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摩托罗拉

Voltage Comparator

文件:1.08989 Mbytes Page:23 Pages

NSC

国半

Voltage Comparator

文件:1.08989 Mbytes Page:23 Pages

NSC

国半

Operational Amplifier with Bias Network

文件:337.51 Kbytes Page:9 Pages

NSC

国半

UN111E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    UN111E

  • 制造商

    PANASONIC

  • 制造商全称

    Panasonic Semiconductor

  • 功能描述

    Silicon PNP epitaxial planer transistor

更新时间:2026-5-15 15:16:00
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