电机控制MCU及预驱芯片

• 最高工作电压为+250 V，兼容3.3V / 5V输入逻辑，dVS/dt耐受能力可达±50 V/ns，VS负偏压能力达-9V，栅极驱动电压从8V到20V，符合 RoSH 标准\n• 高侧欠压锁定正向阈值7.1V，高侧欠压锁定负向阈值6.9V\n• 低侧欠压锁定正向阈值7V，低侧欠压锁定负向阈值6.6V\n• 死区时间设定200ns\n• 开通传输延时Ton=150ns，关断传输延时Toff=120ns，延迟匹配时间小于50ns\n• 开启上升时间：30ns，关闭下降时间：30ns\n• 输出级拉电流：1.5A\n• 灌电流能力：1.8A\n• 额定功率：1.25W\n• 工作温度：-40~;

Silicon Power Rectifier Diode, 40 Amp

Features: ● Fast Recovery Time ● Low Stored Charge ● Available in Cathode–to–Case (NTE6032) or Anode–to–Case (NTE6033) Style

CMOS Dual Operational Amplifier

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CMOS Dual Operational Amplifier

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CMOS Dual Operational Amplifier

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LOW-POWER ADSL CENTRAL-OFFICE LINE DRIVER

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