型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
UCD90120ARGCR.A

UCD90120A 12-Rail Power Supply Sequencer and Monitor With ACPI Support

1 Features 1• Monitor and Sequence 12 Voltage Rails – All Rails Sampled Every 400 μs – 12-bit ADC With 2.5-V, 0.5% Internal VREF – Sequence Based on Time, Rail and Pin Dependencies – Four Programmable Undervoltage and Overvoltage Thresholds per Monitor • Nonvolatile Error and Peak-Valu

TI

德州仪器

UCD90120 12-Channel Sequencer and System Health Monitor

文件:2.22991 Mbytes Page:40 Pages

TI

德州仪器

C-Grid III Interconnects

Description: 2.54mm Pitch C-Grid III Header, Single Row, Vertical, 2 Circuits, Tin (Sn) Plating Application Signal, Wire-to-Board

Molex

莫仕

DOUBLE ACTIon HAND TOOL

文件:67.36 Kbytes Page:1 Pages

TEC

泰科电子

DOUBLE ACTIon HAND TOOL

文件:67.36 Kbytes Page:1 Pages

TEC

泰科电子

Single channel inertial sensor

ETC

知名厂家

更新时间:2026-1-4 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI(德州仪器)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
TI(德州仪器)
24+
QFN64EP(9x9)
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
TI/德州仪器
25+
64-VQFN
65248
百分百原装现货 实单必成
TI
20+
NA
53650
TI原装主营-可开原型号增税票
TI(德州仪器)
24+/25+
10000
原装正品现货库存价优
TI/德州仪器
24+
QFN64
15050
原厂支持公司优势现货
TI
24+
原厂原封
6523
进口原装公司百分百现货可出样品
TI(德州仪器)
24+
N/A
6000
原厂原装,价格优势,欢迎洽谈!
TI/德州仪器
QQ咨询
QFN64
2243
全新原装 研究所指定供货商
TI(德州仪器)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

UCD90120ARGCR.A数据表相关新闻

  • UCD4071BG-SOP14R-TG

    UCD4071BG-SOP14R-TG

    2023-1-30
  • UCD9080RHBR

    产品描述:电源序列发生器和监控器

    2022-5-9
  • UCD90120RGCR 原装现货

    UCD90120RGCR 可做含税,支持实单

    2021-9-22
  • UCD90120RGCR 原装现货

    UCD90120RGCR 可做含税,支持实单

    2021-9-22
  • UCC5350SBDR

    Half-Bridge 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers 门驱动器 , High Side, Low Side 门驱动器 , 8 Output High Side 门驱动器 , 15 V 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT 门驱动器

    2020-7-9
  • UCC3957M-1-电池管理

    UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞 锂离子电池组保护装置的设计工作 与外部P沟道MOSFET。利用外部 P沟道MOSFET提供没有好处 亏损系统地在过放电状态, 保护IC以及不受损坏电池 在过充电状态。内部状态机 连续运行,保护每一个锂离子电池 充电和放电。一个单独的 过电流保护块保护电池组 过度放电电流。 如果任何电池电压超过过压阈值, 是打开相应的外部P沟道MOSFET 关闭,防止进一步的充电电流。外部 N沟道MOSFET是需要转移到这个水平 高边P沟道MOSFET。放电电流可以 仍然流经的第二个P沟道MOSFET。 同样,如果任何电池电压低于欠压 限制,第二个P沟道MOS

    2012-12-29