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参考价格：￥8.6816

型号：UCD7231RTJT 品牌：TI 备注：这里有UCD7231RTJT多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，UCD7231RTJT批发/采购报价，UCD7231RTJT行情走势销售排行榜，UCD7231RTJT报价。

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UCD7231RTJT	Digital Control Compatible Synchronous-Buck Gate Driver With Current Sense and Fault Protection 文件：792.07 Kbytes Page：31 Pages	TI 德州仪器	TI
UCD7231RTJT	封装/外壳：20-WFQFN 裸露焊盘功能：降压包装：管件描述：IC REG CTRLR BUCK 20QFN 集成电路（IC） PMIC - 稳压器 - DC DC 开关式控制器	TI 德州仪器	TI
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7231	T-1 Subminiature Lamps T-1 Subminiature Lamps T-1 Subminiature Short Type Lamps	GILWAY	GILWAY
A7231A	DC-DC CONVERTER BUCK (STEP-DOWN) 500kHz, 3A, 16V SYNCHRONOUS DESCRIPTION The A7231A is a fully integrated, high-efficiency 3A synchronous rectified step-down converter. The A7231A operates at high efficiency over a wide output current load range. This device offers two operation modes, PWM control and PFM Mode switching control, which allows a high effici	AITSEMI 创瑞科技	AITSEMI
7231	Female Cord Connectors 文件：210.53 Kbytes Page：1 Pages	Heyco	Heyco
AJ7231HF	Power Rocker Switches 文件：461.66 Kbytes Page：11 Pages	Panasonic 松下	Panasonic
AJ7231WF	Power Rocker Switches 文件：461.66 Kbytes Page：11 Pages	Panasonic 松下	Panasonic

UCD7231RTJT供应商更多...

更新时间：2025-11-20 23:00:00

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深圳市科芯源微电子有限公司	UCD7231RTJT	TI/德州仪器	25+	20-QFN	65248	百分百原装现货实单必成	询价
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中天科工半导体（深圳）有限公司	UCD7231RTJT	TI	20+	NA	53650	TI原装主营-可开原型号增税票	询价
深圳市凌旭科技有限公司	UCD7231RTJT	TI/德州仪器	21+	QFN20	1709		询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	UCD7231RTJT	TI/德州仪器	2450+	QFN	8850	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价

UCD4071BG-SOP14R-TG
UCD4071BG-SOP14R-TG
2023-1-30
UCD9080RHBR
产品描述：电源序列发生器和监控器
2022-5-9
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22
UCD90120RGCR 原装现货
UCD90120RGCR 可做含税，支持实单
2021-9-22
UCC5350SBDR
Half-Bridge 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers 门驱动器 , High Side, Low Side 门驱动器 , 8 Output High Side 门驱动器 , 15 V 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT 门驱动器
2020-7-9
UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部 P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态，保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行，保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值，是打开相应的外部P沟道MOSFET 关闭，防止进一步的充电电流。外部 N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样，如果任何电池电压低于欠压限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29