| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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UCD4050B | CMOS HEX BUFFER/CONVERTERS The UCD4050B devices are non-inverting hex buffers, and feature logic-level conversion using only one supply voltage(VCC).The input-signal high level(VIH) can exceed the VCC supply voltage when these devices are used for logic-level conversions. These devices are intended for use as CMOS to DTL/TTL • UCD4050 non inverling \n• High Sink Current for Driving 2 TTL Loads \n• High-To-Low Level Logic Conversion \n• Maximum Input Current of 1uA at 18V Over Full Package Temper-ature Range \n• 5V, 10V and 15V Parametric Ratings; | UTC 友顺 |   | |
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HEX non-inverting buffers DESCRIPTION The HEF4050B provides six non-inverting buffers with high current output capability suitable for driving TTL or high capacitive loads. Since input voltages in excess of the buffers’ supply voltage are permitted, the buffers may also be used to convert logic levels of up to 15 V to s | PHILIPS 飞利浦 | | ||
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UCD4050B产品属性
- 类型
描述
- Number of channels：
6
- Sub family：
BUFFER
- Function：
*push-pull output
- VCC(V)Min：
5
- VCC(V)Max：
15
- tPD(nS)Max：
60
- ICC(uA)Max：
4
- Output Driver Iout(mA)Max：
1
- Package：
SOP-16 _TSSOP-16
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
26+ |
N/A |
70000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
Nichicon |
23+ |
TO-18 |
12800 |
原装正品代理商最优惠价格 现货或订货 |
|||
onsemi(安森美) |
25+ |
SOT-23 |
5000 |
只做原厂原装 可含税 欢迎咨询 |
|||
NICHICON/尼吉康 |
25+ |
90000 |
全新原装现货 |
||||
NIPPONCHE |
24+ |
SMD |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
NICHICON/尼吉康 |
2022+ |
NA |
10000 |
只做原装,价格优惠,长期供货。 |
|||
NIPPONCHE |
2026+ |
SMD |
10802 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
|||
NICHICON尼吉康 |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
Nichicon |
25+ |
1700 |
公司优势库存 热卖中!! |
||||
NICHICON |
24+ |
dip |
26580 |
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2023-1-30UCD90120RGCR 原装现货
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2021-9-22UCC5350SBDR
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2020-7-9UCC3957M-1-电池管理
UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞 锂离子电池组保护装置的设计工作 与外部P沟道MOSFET。利用外部 P沟道MOSFET提供没有好处 亏损系统地在过放电状态， 保护IC以及不受损坏电池 在过充电状态。内部状态机 连续运行，保护每一个锂离子电池 充电和放电。一个单独的 过电流保护块保护电池组 过度放电电流。 如果任何电池电压超过过压阈值， 是打开相应的外部P沟道MOSFET 关闭，防止进一步的充电电流。外部 N沟道MOSFET是需要转移到这个水平 高边P沟道MOSFET。放电电流可以 仍然流经的第二个P沟道MOSFET。 同样，如果任何电池电压低于欠压 限制，第二个P沟道MOS
2012-12-29UCC3952-增强的单节锂离子电池保护IC
特点 •保护敏感的锂离子电池过度充电和过度放电 •专用为一个单元格应用 •集成的低阻抗MOSFET开关及感测电阻 •精密修整的充电和放电电压限制 •极低功耗 •3A电流的能力 •过流和短路保护 •反向充电保护 •热保护 UCC3952是铁板一块的BiCMOS锂离子电池保护电路旨在提高充电的一个单元格的有用的工作寿命电池组。细胞保护功能，包括内部微调限制
2012-12-29
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