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NPNEPITAXIALSILICONPLANARTRANSISTOR

GENERALDESCRIPTION The8050isanNPNepitaxialsiliconplanartransistordesignedforuseintheaudiooutputstageandconverter/invertercircuit.Complementaryto8550.

MICRO-ELECTRONICS

Micro Electronics

MICRO-ELECTRONICS

NPNTRANSISTOR

PowerDissipation Pcm:1.0W CollectorCurrent Icm:1.5A Collector-BaseVoltage Vcbo:45V

STANSONStanson Technology

Stanson 科技

STANSON

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

TO-92Plastic-EncapsulateTransistors

DAYADaya Electric Group Co., Ltd.

Daya Electric Group Co., Ltd.

DAYA

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. EspeciallysuitableforAF-driverstages andlowpoweroutputstages. Onspecialrequest,thesetransistorscanbe manufacturedindifferentpinconfigurations.

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

DGNJDZ

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •WithSOT-23packaging •Highcollector-basevoltage •Lowsaturationvoltage •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Audiooutputstageandconverters/inverterscircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2024-4-19 20:06:03
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
国产
13+
TO92
6000
原装现货价格有优势量大可以发货
FOSHAN
23+
NA/
4250
原装现货,当天可交货,原型号开票
N/A
2023+
SOP-8
50000
原装现货
长电/长晶
2021
TO-92
49000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
CJ
1436+
TO-92
30000
绝对进口原装现货可开增值税发票
ST(先科)
22+
SOT-89
10000
只做原装现货 假一赔万
长电
2022+
7600
原厂原装,假一罚十
UTC/友顺
21+
SOT-23(SOT-23-3)
60000
绝对原装正品现货,假一罚十
Belden
22+
NA
6
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
UTC
23+
SOT-23
6680
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  • UCD90120RGCR 原装现货

    UCD90120RGCR可做含税,支持实单

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  • UCC5350SBDR

    Half-Bridge门驱动器,MOSFETGateDrivers门驱动器,HighSide,LowSide门驱动器,8OutputHighSide门驱动器,15V门驱动器,MOSFETGateDriversHalf-BridgeSMD/SMT门驱动器

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  • UCC3957M-1-电池管理

    UCC3957是一个BiCMOS工艺三个或四个细胞锂离子电池组保护装置的设计工作与外部P沟道MOSFET。利用外部P沟道MOSFET提供没有好处亏损系统地在过放电状态,保护IC以及不受损坏电池在过充电状态。内部状态机连续运行,保护每一个锂离子电池充电和放电。一个单独的过电流保护块保护电池组过度放电电流。如果任何电池电压超过过压阈值,是打开相应的外部P沟道MOSFET关闭,防止进一步的充电电流。外部N沟道MOSFET是需要转移到这个水平高边P沟道MOSFET。放电电流可以仍然流经的第二个P沟道MOSFET。同样,如果任何电池电压低于欠压限制,第二个P沟道MOS

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