具有 8V UVLO、35V VDD、CMOS 输入和分离输出的 2.5A/5A 单通道栅极驱动器

UCC27532 是一款单通道、高速、栅极驱动器，此驱动器可借助于高达 2.5A 源电流和 5A 灌电流（非对称驱动）来有效驱动 MOSFET 和 IGBT 电源开关。 强劲的非对称驱动中的吸收能力提升了抗寄生米勒 (Miller) 接通效应的能力。 UCC27532 器件还特有一个分离输出配置，在此配置中栅极驱动电流从 OUTH 引脚拉出并从 OUTL 引脚被灌入。 这个独特的引脚安排使得用户能够分别在 OUTH 和 OUTL 引脚上采样独立的接通和关闭电阻器并且能很轻易地控制开关的转换率。此驱动器具有轨到轨驱动能力和典型值为 17ns 的极小传播延迟。 UCC27532DBV 具有 CMO • 低成本栅极驱动器（为驱动 FET 和 IGBT 的最佳解决方案）\n• CMOS 兼容输入逻辑阀值（在 VDD 大于 18V 是变为固定值）\n• 由固定 TTL 兼容阀值启用\n• 从 10V 到高达 35V 的宽 VDD 范围 \n• 当输入悬空或 VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间，输出保持低电平\n• 快速上升和下降时间（1800pF 负载时的典型值分别为 15ns 和 7ns） \n• 被用作高侧或低侧驱动器（如果采用适当的偏置和信号隔离设计）\n• 运行温度范围 -40°C 至 140°C;

2.5-A and 5-A, 35-VMAX VDD FET and IGBT Single-Gate Driver

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具有 8V UVLO、35V VDD 和 CMOS 输入的汽车类 2.5A/5A 单通道栅极驱动器

UCC27532-Q1 是一款单通道高速栅极驱动器，此驱动器可借助于高达 2.5A 的源电流和 5A 的灌电流（非对称驱动）峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和 IGBT 电源开关。 非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力。 UCC27532-Q1 器件还特有一个分离输出配置，在此配置中栅极驱动电流从 OUTH 引脚拉出并从 OUTL 引脚被灌入。 这个引脚安排使得用户能够分别在 OUTH 和 OUTL 引脚采用独立的接通和关闭电阻器，并且能很轻易地控制开关的转换率。此驱动器具有轨到轨驱动功能以及 17ns（典型值）的极小传播延迟。 UCC2 • 符合汽车应用要求\n• 器件温度 1 级\n• 器件充电器件模型 (CDM) ESD 分类等级 C4B\n• 低成本栅极驱动器（为 FET 和 IGBT 的驱动提供最佳解决方案）\n• CMOS 兼容输入逻辑阀值（在 VDD 大于 18V 是变为固定值）\n• 由固定 TTL 兼容阀值启用\n• 从 10V 到高达 35V 的宽 VDD 范围 \n• 当输入悬空或 VDD 欠压闭锁 (UVLO) 期间，输出保持低电平\n• 快速上升和下降时间（1800pF 负载时的典型值分别为 15ns 和 7ns） \n• 被用作高侧或低侧驱动器（如果采用适当的偏置和信号隔离设计）\n• -40°C ;

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封装/外壳：SOT-23-6 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6 集成电路（IC） 栅极驱动器

功能：栅极驱动器 包装：盒 描述：EVAL MODULE FOR UCC27532 开发板，套件，编程器 评估和演示板及套件

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