UCC27211价格
参考价格:¥20.7814
型号:UCC27211ADRMR/BKN 品牌:Texas Instruments 备注:这里有UCC27211多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,UCC27211批发/采购报价,UCC27211行情走势销售排行榜,UCC27211报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
UCC27211 | 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27210 和 UCC27211 驱动器是基于广受欢迎的 UCC27200 和 UCC27201 MOSFET 驱动器,但性能得到了显著提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω,因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。现在,输入结构能够直接处理 -10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有 20V 的最大额定值。 UCC2721x 的开关节点(HS 引脚)最高可处理 -18V 电压 • 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)\n• 最大引导电压 120V 直流\n• 4A 吸收,4A 源输出电流\n• 0.9Ω 上拉和下拉电阻 \n• 输入引脚能够耐受 -10V 至 20V 的电压,并且与电源电压范围无关\n• 晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 或伪 CMOS 兼容输入版本\n• 8V 至 17V VDD 运行范围(绝对最大值 20V)\n• 7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间(采用 1000pF 负载时)\n• 短暂传播延迟时间(典型值 18ns)\n• 2ns 延迟匹配\n• 用于高侧和低侧驱动器; | TI 德州仪器 | ||
UCC27211 | 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver 文件:1.31149 Mbytes Page:33 Pages | TI 德州仪器 | ||
UCC27211 | 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side/Low-Side Driver 文件:1.0828 Mbytes Page:28 Pages | TI 德州仪器 | ||
UCC27211 | UCC2721x 120-V Boot, 4-A Peak, High-Frequency High-Side and Low-Side Driver 文件:1.50118 Mbytes Page:39 Pages | TI 德州仪器 | ||
具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27211A 器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器;但该器件相比之下具有显著的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω,因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有 20V 的最大额定值。 > UCC27211A 的开关节点(HS 引脚)最高可处理 –18V 电压,从而保护高侧通道不受寄生 • 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)\n• 4A 吸收,4A 源输出电流\n• 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压,并且与电源电压范围无关\n• 8V 至 17V VDD 运行范围(绝对最大值 20V)\n• 快速传播延迟时间(典型值 20ns)\n• 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能 \n• SOIC-8 \n• 4mm × 4mm 小外形尺寸无引线 (SON)-10 封装\n• -40℃ 至 +140°C 的额定温度范围; | TI 德州仪器 | |||
UCC27211A-Q1 Automotive 120V, 3.7A/4.5A Half-Bridge Driver with 8V UVLO 1 Features • AEC-Q100 Qualified for Automotive Applications: Device Temperature Grade 1 • –40°C to +150°C junction temperature range • Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration with independent inputs • Maximum boot voltage 120V DC • 3.7A source, 4.5A sink output | TI 德州仪器 | |||
UCC27211A-Q1 Automotive 120V, 3.7A/4.5A Half-Bridge Driver with 8V UVLO 1 Features • AEC-Q100 Qualified for Automotive Applications: Device Temperature Grade 1 • –40°C to +150°C junction temperature range • Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration with independent inputs • Maximum boot voltage 120V DC • 3.7A source, 4.5A sink output | TI 德州仪器 | |||
具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器 UCC27211A-Q1 器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201 MOSFET 驱动器;但该器件相比之下具有显著的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和 4A 灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω,因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能够直接处理 -10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有 20V 的最大额定值。 UCC27211A-Q1 的开关节点(HS 引脚)最高可处理 –18V 电压,从而保护高侧通道 • 适用于汽车电子 应用\n• 器件温度等级:–40°C 至 +140°C 的工作环境温度范围 \n• 器件组件充电模式 (CDM) 分类等级 C6\n• 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)\n• 4A 吸收,4A 源输出电流\n• 输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压,并且与电源电压范围无关\n• 8V 至 17V VDD 运行范围(绝对最大值 20V)\n• 快速传播延迟时间(典型值 20ns)\n• 用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能 \n• -40℃ 至 +140°C 的额定温度范围; | TI 德州仪器 | |||
丝印代码:27211Q;UCC27211A-Q1 Automotive 120V, 3.7A/4.5A Half-Bridge Driver with 8V UVLO 1 Features • AEC-Q100 Qualified for Automotive Applications: Device Temperature Grade 1 • –40°C to +150°C junction temperature range • Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration with independent inputs • Maximum boot voltage 120V DC • 3.7A source, 4.5A sink output | TI 德州仪器 | |||
丝印代码:27211Q;UCC27211A-Q1 Automotive 120V, 3.7A/4.5A Half-Bridge Driver with 8V UVLO 1 Features • AEC-Q100 Qualified for Automotive Applications: Device Temperature Grade 1 • –40°C to +150°C junction temperature range • Drives two N-channel MOSFETs in high-side and low-side configuration with independent inputs • Maximum boot voltage 120V DC • 3.7A source, 4.5A sink output | TI 德州仪器 | |||
120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver 文件:1.22648 Mbytes Page:27 Pages | TI 德州仪器 | |||
UCC27211A 120-V Boot, 4-A Peak, High-Frequency High-Side and Low-Side Driver31 文件:1.29823 Mbytes Page:31 Pages | TI 德州仪器 | |||
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封装/外壳:8-VDFN 裸露焊盘 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8VSON 集成电路(IC) 栅极驱动器 | TI 德州仪器 | |||
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封装/外壳:8-PowerSOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR 集成电路(IC) 栅极驱动器 | TI 德州仪器 | |||
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UCC27211产品属性
- 类型
描述
- Power switch:
MOSFET
- Input VCC (Min) (V):
8
- Input VCC (Max) (V):
17
- Peak output current (A):
4
- Rise time (ns):
8
- Operating temperature range (C):
-40 to 140
- Undervoltage lockout (Typ):
8
- Rating:
Catalog
- Number of channels (#):
2
- Fall time (ns):
7
- Prop delay (ns):
20
- Iq (uA):
1
- Input threshold:
TTL
- Channel input logic:
TTL
- Negative voltage handling at HS pin (V):
-12
- Features:
—
- Driver configuration:
Dual
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
24+ |
SO PowerPAD-8 |
30000 |
专业代理销售芯片 授权分销全系列产品 |
|||
TI |
2430+ |
SOP8 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
TI/德州仪器原装正品 |
26+ |
SOP-8 |
15000 |
全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
TI/德州仪器 |
25+ |
VSON-8-EP |
32000 |
TI/德州仪器全新特价UCC27211ADRMR即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
TEXAS INSTRUMENTS |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
TI/德州仪器 |
25+23+ |
VSON8 |
13397 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
TI/德州仪器 |
23+ |
SOP-8 |
2500 |
A3-7货柜原装正品支持实单 |
|||
TI |
24+ |
SOP8 |
1500 |
AI芯片,车规MCU原装现货/为新能源汽车电子行业采购保驾护航 |
|||
TI |
23+ |
SOP-8 |
2500 |
正规渠道,只有原装! |
|||
TI |
25+ |
原封装 |
897000 |
原厂直接发货进口原装 |
UCC27211芯片相关品牌
UCC27211规格书下载地址
UCC27211参数引脚图相关
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UCC27201DDA
UCC27201DDA是一款高性能、高速、高压驱动器
2023-7-26UCC27201DDAR
UCC27201DDAR
2023-4-14UCC27321DGNR
低端 栅极驱动器
2022-3-8UCC27211DR
TSSOP-20 门驱动器
2021-8-11UCC27201DRMR
Half-Bridge 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers 门驱动器 , High Side, Low Side 门驱动器 , 8 Output High Side 门驱动器 , 15 V 门驱动器 , MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT 门驱动器
2020-7-9UCC27221-高效率同步降压驱动预测
特征 通过最小化效率最大化体二极管传导和反恢复损耗 透明的同步降压盖特车道行动由单端PWM输入信号 12- V或5 V输入操作 3.3 V的输入操作的可用性12- V总线偏置 板载6.5 -10V栅极驱动调节器 卤3.3 -阿TrueDrive铮高门驱动当前交割在MOSFET的米勒阈值 自动调整改变工作条件 耐热增强型14引脚将PowerPAD铮HTSSOP封装减少电路板面积和结温上升 应用 非隔离单或分期 处理器电源为直流至
2013-2-23
DdatasheetPDF页码索引
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