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TF8N10G中文资料

厂家型号

TF8N10G

文件大小

3350.02Kbytes

页面数量

6

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

数据手册

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生产厂商

TUOFENG

TF8N10G数据手册规格书PDF详情

Description

The 8N10G SOT-89 uses advanced trench technology

and design to provide excellent RDS(ON) with low gate

charge. It can be used in a wide variety of applications.

General Features

VDSS RDS(ON) @10V (typ) ID

100V 120mΩ 8A

● High density cell design for ultra low Rdson

● Fully characterized avalanche voltage and current

● Excellent package for good heat dissipation

Application

● Power switching application

● Hard switched and high frequency circuits

● Uninterruptible power supply

更新时间:2025-8-7 17:16:00
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