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TSC966CW中文资料

厂家型号

TSC966CW

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5

功能描述

NPN Silicon Planar High Voltage Transistor

两极晶体管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor

数据手册

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生产厂商

TSC

TSC966CW产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TSC966CW

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Silicon Planar Med Power Transistor

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-22 16:35:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TSC/台湾半导体
25+
SOT-223
20300
TSC/台湾半导体原装特价TSC966CW即刻询购立享优惠#长期有货
TSC
23+
SOT-223
2618
原厂原装正品
TSC
24+
SOT-223
5000
全新原装正品,现货销售
TSC
24+
SOT-223
12000
原装正品 假一罚十 可拆样
TSC
24+
SOT-223
25836
新到现货,只做全新原装正品
TSC
14+
SOT-223
6573
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TSC/台湾半导体
24+
SOT-223
60000
全新原装现货
TSC/台湾半导体
24+
NA/
5490
原装现货,当天可交货,原型号开票
TSC/台湾半导体
20+
SOT-223
32500
现货很近!原厂很远!只做原装
TSC/台湾半导体
23+
SOT-223
50000
全新原装正品现货,支持订货