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1N5376B中文资料

厂家型号

1N5376B

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267.56Kbytes

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5

功能描述

GLASS PASSIVATED JUNCTION SILICON ZENER DIODE

DIODE ZENER 87V 5W T-18

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

简称

TRSYS

生产厂商

Transys Electronics

中文名称

官网

1N5376B数据手册规格书PDF详情

VOLTAGE -11 TO 200 Volts Power -5.0 Watts

FEA TURES

Low profile package

Built-in strain relief

Glass passivated junction

Low inductance

Typical ID less than 1 A above 13V

High temperature soldering : 260/10 seconds at terminals

Plastic package has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-O

1N5376B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    1N5376B

  • 功能描述

    DIODE ZENER 87V 5W T-18

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - 电压 -

  • 齐纳(标称)(Vz)

    36V 电压 - 在 If

  • 时为正向(Vf)(最大)

    900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr

  • 时反向漏电

    100nA @ 27V

  • 容差

    ±5% 功率 -

  • 最大

    200mW

  • 阻抗(最大)(Zzt)

    70 欧姆

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    SC-70,SOT-323

  • 供应商设备封装

    SOT-323

  • 包装

    剪切带(CT)

  • 工作温度

    -65°C ~ 150°C

  • 产品目录页面

    1585(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

更新时间:2025-12-15 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SUNMATE(森美特)
2019+ROHS
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