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1.5KE300C中文资料
1.5KE300C数据手册规格书PDF详情
VOLTAGE - 6.8 TO 440 Volts 1500 Watt Peak Power 5.0 Watt Steady State
FEATURES
● Plastic package has Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-O
● Glass passivated chip junction in Molded Plastic package
● 1500W surge capability at 1ms
● Excellent clamping capability
● Low zener impedance
● Fast response time: typically less
than 1.0 ps from 0 volts to BV min
● Typical IR less than 1μA above 10V
● High temperature soldering guaranteed:
260°C/10 seconds/.375”,(9.5mm) lead
● length/5lbs., (2.3kg) tension
1.5KE300C产品属性
- 类型
描述
- 型号
1.5KE300C
- 功能描述
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 1500W 256V Bi-Directional
- RoHS
否
- 制造商
Vishay Semiconductors
- 极性
Bidirectional
- 击穿电压
58.9 V
- 钳位电压
77.4 V
- 峰值浪涌电流
38.8 A
- 封装/箱体
DO-214AB
- 最小工作温度
- 55 C
- 最大工作温度
+ 150 C
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
DO-1-2(1.5KE) |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
ST(意法半导体) |
24+ |
DO-201 |
10000 |
只做原装现货 假一赔万 |
|||
COMON |
2021+ |
DO201AE |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
LITTELFUSE |
24+ |
N/A |
10000 |
只做原装,实单最低价支持 |
|||
BORN(伯恩半导体) |
24+ |
DO-201 |
50000 |
品牌代理,价格优势,技术支持!! |
|||
LITTELFUSE |
23+ |
NA |
25060 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
24+ |
N/A |
60000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
UN SEMICONDUCTOR |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
SUNMATE(森美特) |
2019+ROHS |
DO-201AD |
66688 |
森美特高品质产品原装正品免费送样 |
|||
SMK |
24+ |
原厂封装 |
5620 |
原装现货假一罚十 |
1.5KE300CA-TP 价格
参考价格：￥1.2842
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- CHU2277-99F/00
- CHV2242A
- CHV2242A-99F/00
- CHV2243
- P4SMAJ120CA
- P4SMAJ58CA
- P4SMAJ70C
- P4SMAJ90CA
- P6KE170CA
- P6KE220CA
- P6KE350CA
- P6KE400C
- P6KE440CA
- P6SMBJ100CA
- P6SMBJ54C
- P6SMBJ60CA
- P6SMBJ85C
- PSD853F2-15MIT
- PSD913F3-15MIT
- PSD934F3-15MIT
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TRSYS相关电路图
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- P93
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- P95
- P96
- P97
Transys Electronics
中文资料: 2607条
Transys Electronics Ltd是一家私人所有的半导体制造商，位于英国伯明翰的工业中心地带。 该公司成立于1992年，如今拥有并运营一个5000平方英尺的全功能功率半导体晶圆厂以及真空焊接组装能力。 我们的产品应用于高级规格领域，苛刻的应用环境和困难的电气参数一直是Transys发展的关键。 在关键人员和设备方面的大量投资使Transys即使在一个拥有大得多的公司的行业中也能保持技术领先。 Transys在其伯明翰总部维持着一个完整的5000平方英尺的晶圆厂，每周能够生产4000片4英寸、5英寸和8英寸的功率半导体晶圆。 产品范围包括IGBT、Mosfet、功率晶体管、小信号晶体
