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ULN2003AIDR中文资料

厂家型号

ULN2003AIDR

文件大小

1227.49Kbytes

页面数量

28

功能描述

HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS

达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array

数据手册

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生产厂商

TI1

ULN2003AIDR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    ULN2003AIDR

  • 功能描述

    达林顿晶体管 HiVltg Hi-Crnt Darl Transistor Array

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-29 17:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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ULN2003AIDRG4 价格

参考价格:¥1.1570

型号:ULN2003AIDRG4 品牌:Texas 备注:这里有ULN2003AIDR多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,ULN2003AIDR批发/采购报价,ULN2003AIDR行情走势销售排排榜,ULN2003AIDR报价。