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BDX53F中文资料

厂家型号

BDX53F

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1

功能描述

Complementary Silicon Power Darlington Ttransistors

达林顿晶体管 Silicon Pwr Trnsistr

数据手册

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生产厂商

TGS

BDX53F数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

The BDX53F are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package.

They are intented for use in hammer drivers, audio amplifiers and other medium power linear and switching applications.

The complementary PNP types are BDX54F respectively.

BDX53F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDX53F

  • 功能描述

    达林顿晶体管 Silicon Pwr Trnsistr

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-3-5 17:27:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
25+
TO220F
20300
ST/意法原装特价BDX53F即刻询购立享优惠#长期有货
24+
TO-220
10000
全新
ST
24+
TO-220
15000
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ST
17+
TO-220
6200
STM
23+
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BDX53F 晶体管资料

  • BDX53F别名:BDX53F三极管、BDX53F晶体管、BDX53F晶体三极管

  • BDX53F生产厂家

  • BDX53F制作材料:Si-N+Darl+Di

  • BDX53F性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BDX53F封装形式:直插封装

  • BDX53F极限工作电压:160V

  • BDX53F最大电流允许值:8A

  • BDX53F最大工作频率:20MHZ

  • BDX53F引脚数:3

  • BDX53F最大耗散功率:60W

  • BDX53F放大倍数:β>750

  • BDX53F图片代号:B-10

  • BDX53Fvtest:160

  • BDX53Fhtest:20000000

  • BDX53Fatest:8

  • BDX53Fwtest:60

  • BDX53F代换 BDX53F用什么型号代替:2SD1025,