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THN6501E中文资料

厂家型号

THN6501E

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13

功能描述

NPN SiGe RF TRANSISTOR

SiGe NPN Transistor

数据手册

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生产厂商

TACHYONICS

THN6501E数据手册规格书PDF详情

□ Features

o Low Noise Figure

NF = 1.0 dB Typ. @ f = 1 GHz, V CE = 3V, IC = 7mA

o High Power Gain

MAG = 15 dB Typ. @ f = 1 GHz, VCE = 3V, IC = 7mA

o High Transition Frequency

fT = 9 GHz Typ. @ VCE = 3 V, IC = 30 mA

□ Application

LNA and wide band amplifier up to GHz range

THN6501E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    THN6501E

  • 制造商

    AUK

  • 制造商全称

    AUK corp

  • 功能描述

    SiGe NPN Transistor

更新时间:2025-10-11 11:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TACHYONICS
23+
SOT-523
50000
全新原装正品现货,支持订货
TACHYONICS
24+
SOD523
60000
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24+
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明嘉莱只做原装正品现货