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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TZY2R200AC01 | CeramicTrimmerCapacitors 文件：639.04 Kbytes Page：32 Pages | MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所 |  |   |
Smallandthinsizewithexternaldimensionsof2.5(W)x3.2(L)x1.25max.(H)mm. 1.Smallandthinsizewithexternaldimensionsof 2.5(W)x3.2(L)x1.25max.(H)mm. 2.Newshapeofcovercanimprovethefluxinvasion comparedwithcurrentproducts. 3.Improvementoftheadhesionbetweenrotorand statorleadstosuperiorstability. 4.Uniqueconstructionwithnoplasticmate | MURATA1Murata Manufacturing Co., Ltd 村田村田制作所 |  | | |
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Newshapeofcovercanimprovethefluxinvasioncomparedwithcurrentproducts 文件：200.89 Kbytes Page：3 Pages | MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所 | | | |
包装：散装 描述：CAP TRIMMER 4.5-20PF 25V SMD 电容器 微调器，可变电容器 | Murata Electronics Murata Electronics |  | | |
CeramicTrimmerCapacitors 文件：639.04 Kbytes Page：32 Pages | MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd. 村田村田制作所 | | | |
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：CAP TRIMMER 4.5-20PF 25V SMD 电容器 微调器，可变电容器 | Murata Electronics Murata Electronics | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MURATA/村田 |
23+ |
SMD |
32000 |
原装正品长期现货,欢迎来询 |
|||
muRata/村田 |
23+ |
SMD |
10000 |
原装正品，支持实单 |
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MURATA(村田) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
muRata/村田 |
2022+ |
SMD |
7600 |
原厂原装,假一罚十 |
|||
MURATA/村田 |
23+ |
NA/ |
23250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
MURATA/村田 |
23+ |
2X2 |
69433 |
村田全系列可订货,免费送样,账期支持! |
|||
muRata/村田 |
2023+ |
SMD |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
|||
muRata/村田 |
23+ |
SMD |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
muRata/村田 |
21+ |
SMD |
63880 |
本公司只售原装 支持实单 |
|||
muRata/鏉戠敯 |
22+ |
SMD |
3800 |
TZY2R200AC01芯片相关品牌
TZY2R200AC01规格书下载地址
TZY2R200AC01参数引脚图相关
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- U028006
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2019-12-2U.FL-LP-N-2(01)
深圳科雨电子有限公司，联系人：卢小姐手机：18975515225 原装正品大量现货，有需要的可以联系我QQ:97877805微信：wei555222777
2019-5-17U1825DW-高速PWM控制器
高频PWM控制ICUC1825系列最适合开关电源应用。特别注意通过比较，以最大限度地减少传播延迟和逻辑电路，同时最大限度地提高带宽和压摆率误差放大器。该控制器是专为使用在任一电流输入电压能力的模式或电压模式系统馈。保护电路包括电流限制比较器与一个1V门槛，一个TTL兼容关机端口，和一个软启动引脚这将增加一倍，作为最大占空比钳位。这种逻辑是完全提供抖动的自由运作，并禁止多个脉冲锁存输出。与为800mV的滞后欠压锁定部分保证低启动电流。在欠压锁定，输出高阻抗。这些器件具有图腾柱输出源和设计沉高容性负载的峰值电流，如门，功率MOSFET。对国家是一个高层次的设计。
2012-11-24
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