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N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: PHB160N03TinSOT404(D2-PAK). Features ■TrenchMOS™technology ■Verylowon-stateresistance. Applications ■DCtoDCconverters ■Switched-modepo

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=75A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

爱德微爱德微(深圳)电子有限公司

ADV

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd

爱德微爱德微(深圳)电子有限公司

ADV

N-Channel30V(D-S)175째CMOSFET

文件:1.13478 Mbytes Page:10 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI
更新时间:2025-7-13 22:59:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
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原装优势主营型号-可开原型号增税票

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