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TTB1020B

丝印代码:B1020B;Bipolar Transistors Silicon PNP Triple-Diffused Type

Applications • High-Current Switching • Hammer Drivers Features (1) High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = -3 V , IC = -3 A) (2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = -1.5 V (max) (IC = -3 A , IB = -6 mA) (3) Complementary to TTD1415B

TOSHIBA

东芝

TTB1020B

Power transistor for high-speed switching applications

Feature:High hFE / Low saturation voltage\nApplication Scope:High current switching\nPolarity:PNP\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:中国 Collector Current IC -7 A \nCollector Current ICP -10 A \nCollector power dissipation PC 30 W \nCollector power dissipation PC 2 W \nCollector-Base Voltage VCBO -100 V \nCollector-emitter voltage VCEO -100 V ;

TOSHIBA

东芝

包装:散装 描述:TRANSISTOR PNP TO220 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ETC

知名厂家

ISOLATION SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE- 20 to 100 Volts CURRENT - 10.0 Ampere)

VOLTAGE- 20 to 100 Volts CURRENT - 10.0 Ampere FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O. Flame Retardant Epoxy Molding Compound. • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228 • Low power loss, high efficiency. • Low forwrd voltge,

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国半

TTB1020B产品属性

  • 类型

    描述

  • Life-cycle:

    新产品

  • Polarity:

    PNP

  • Features:

    Darlington

  • VCEO(Max)(V):

    -100

  • IC(Max)(A):

    -7

  • hFE(Min):

    2000

  • hFE(Max):

    15000

  • VCE(sat)(Max)(V):

    -1.5

  • Number of pins:

    3

  • Surface mount package:

    N

  • Package name:

    TO-220SIS

  • Width×Length×Height(mm):

    10.0 x 15.0 x 4.5

更新时间:2026-8-4 14:45:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
26+
TO-252
2000
十五年行业诚信经营,专注全新正品
TOSHIBA/东芝
10+PBF
TO252-2
1775
原装现货
TOSHIBA
24+
SMD
65200
一级代理/放心采购
TOSHIBA/东芝
21+
TO-252
2000
TOSHIBA/东芝
22+
TO-252
12245
现货,原厂原装假一罚十!
TOSHIBA
1708+
TO-220F
2791
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
TOSHIBA
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
TOSHIBA/东芝
23+
T0-252
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专业芯片配单原装正品假一罚十
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TOSHIBA/东芝
22+
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只做原装 品质保障

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