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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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TSM2NB60 | 600VN-ChannelPowerMOSFET 文件：376.66 Kbytes Page：10 Pages | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 |  |   |
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Pb-freeplating 文件：840.16 Kbytes Page：9 Pages | TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司 | | | |
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N-Channel650V(D-S)MOSFET 文件：1.08799 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
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N-CHANNEL600V-3.3OHM-2.6ADPAK/IPAKPowerMESHTMMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 |  | | |
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPowerMESHMOSFET DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | |
TSM2NB60产品属性
- 类型
描述
- 型号
TSM2NB60
- 功能描述
MOSFET 600V 2A N Channel Mosfet
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TSC/台湾半导体 |
24+ |
NA/ |
14250 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
TW |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
Taiwan |
24+ |
TO-252,(D-Pak) |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
TSC |
1715+ |
SOP |
251156 |
只做原装正品现货假一赔十! |
|||
TSC |
18+ |
SOT-252 |
10000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
TSC |
24+ |
TO-252 |
56000 |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
|||
TSC |
24+ |
TO-251 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
TSC |
24+ |
TO-251 |
12000 |
原装 |
|||
TSC原装 |
25+23+ |
TO-251 |
23559 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
TSC |
25+ |
TO-251 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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2020-3-12
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