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位置：首页 > IC中文资料第4389页 > TSM1NB60SCT

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TSM1NB60SCT

N-ChannelPowerMOSFET

文件：432.65 Kbytes Page：7 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC
S1NB60

GeneralPurposeRectifiers(600V1A)

Feature •Small-SMD or •Small-DIP

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

SHINDENGEN
S1NB60

1AMPMINIATUREBRIDGERECTIFIERS

1.GlassPassivatedforhighreliability/temperatureperforman 2.RVRatingsfrom50to1000Volts 3.Surgeoverloadratingto30Ampspeak 4.Reliablelowcostmoldedplasticconstruction 5.Idealforprintedcircuitboardapplications

DEC

DIOTEC Electronics Corporation

DEC
STD1NB60

N-CHANNEL600V-7.4ohm-1A-IPAK/DPAKPowerMESHMOSFET

DESCRIPTION UsingthelatesthighvoltageMESHOVERLAY™process,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofpowerMOSFETswithoutstandingperformances.ThenewpatentpendingstriplayoutcoupledwiththeCompany’sproprietaryedgeterminationstructure,givesthelowestRDS(on)pera

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS
STD1NB60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

文件：1.08804 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
T1NB60

BridgeRectifier

文件：360.04 Kbytes Page：2 Pages

SIPOWER

SiPower Inc.

SIPOWER

TSM1NB60SCT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TSM1NB60SCT

  • 功能描述

    MOSFET 600V 0.5A N Channel Mosfet

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

TSM1NB60SCT供应商更多...

更新时间：2025-7-9 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    TSM1A473F39H1RZ，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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