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位置：首页 > IC中文资料第7006页 > TSM1N60LCP

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TSM1N60LCP

N-ChannelPowerEnhancementModeMOSFET

GeneralDescription TheTSM1N60Lisusedanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficien

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC
TSM1N60LCP

600VN-ChannelPowerMOSFET

文件：406.46 Kbytes Page：7 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC
TSM1N60LCPRO

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
TSM1N60LCPRO

600VN-ChannelPowerMOSFET

文件：311.14 Kbytes Page：7 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC
1N60

GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE

GermaniumGlassDiode Features •GermaniumGlassDiode •RoHSCompliance

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
1N60

SiliconAvalancheDiodes-1500WattMetalAxialLeadedTransientVoltageSuppressors

FEATURES •Hermeticallysealed •Breakdownvoltagerange6.8-200volts •Glasspassivatedjunction •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •100surgetested •-55°Cto+150°C •Bi-directional MAXIMUMRATING •PeakPulsePower(Ppk):15000Watts(10x1000µs)@25°C(seedi

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse
1N60

SchottkyBarrierDiode

Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching Construction Siliconepitaxialplanar

FORMOSAFormosa MS

美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司

FORMOSA
1N60

JEDECDO-7PACKAGE

JEDECDO-7PACKAGE

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1
1N60

1.2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC1N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpow

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

TSM1N60LCP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TSM1N60LCP

  • 功能描述

    MOSFET 600V 1A N channel MOSFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

TSM1N60LCP供应商更多...

更新时间：2025-7-12 13:52:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市威雅利发展有限公司
TSM1N60LCP
TSC
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10000
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TSM1N80CW
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TSM1N60LCP
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TSM1N60LCP
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TSM1N60LCP
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TSM1N60LCP
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TSM1N60LCP
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TSM1N60LCP
TS
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TO-252-2
50000
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    TSM1A473F39H1RZ，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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    TSM2A103F3951RZ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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  • TSM1A473F39H1RZ

    TSM1A473F39H1RZ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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