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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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TSI30H120CW | 30A, 100V - 200V Trench Schottky Rectifiers 文件：244.84 Kbytes Page：5 Pages | TSC 台湾半导体 |   | |
TSI30H120CW | 封装/外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA 包装：卷带（TR） 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 120V I2PAK 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | |
TSI30H120CW | 30A, 120V, Trench Schottky | TSC 台湾半导体 | | |
Diode – Power, Bare Die Gen VII, Fast Recovery 1200 V, 30 A Features • Advanced Gen VII Technology • Fast and Soft Recovery • Maximum Junction Temperature 175°C • Low Forward Voltage: VF = 1.78 V (Typ.) IF = 30 A • Easy to Parallel Operation Typical Applications • Solar • Energy Storage • Industrial Motor Control | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Diode – Power, Bare Die Gen VII, Fast Recovery 1200 V, 30 A Features • Advanced Gen VII Technology • Fast and Soft Recovery • Maximum Junction Temperature 175°C • Low Forward Voltage: VF = 1.78 V (Typ.) IF = 30 A • Easy to Parallel Operation Typical Applications • Solar • Energy Storage • Industrial Motor Control | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
SiC Schottky Barrier Diode Applications • Power Factor Correction • Solar Inverters • Uninterruptible Power Supplies • DC-DC Converters Features (1) Chip design of 3rd generation (2) Low forward voltage : VF = 1.27 V (typ.) (3) Low total capacitive charge: Qc = 162 nC (typ.) (4) Low reverse current: IR = 2.8 μA (ty | TOSHIBA 东芝 | | ||
Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier 文件：60.8 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier 文件：60.8 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-12-2TSC695F-25MA-E数字信号处理器和控制器-DSP，DSC
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2019-11-29TSDF02830Y-模拟杂项
特点 •易门1切断PNP开关晶体管内部的PLL •两个不同的优化放大器在单一封装 •集成的栅极保护二极管 •低噪声系数，高增益 •典型正向互异的31毫秒RESP28毫秒 •部份内部自偏置网络芯片 •更优越的交叉调制增益下降 •高AGC的范围与软斜坡 •主AGC控制范围从3 V至0.5 V的 •电源电压5 V（3 V至7 V） •SMD
2012-12-17
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