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TSD2150ACY	LowVcesatNPNTransistor 文件：219.64 Kbytes Page：4 Pages	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司
TSD2150ACY RMG	封装/外壳：TO-243AA 包装：散装描述：TRANS NPN 50V 3A SOT89 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个	ETC 知名厂家	ETC
TSD2150ACYRM	LowVcesatNPNTransistor 文件：117.29 Kbytes Page：5 Pages	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司
TSD2150ACYRM	LowVcesatNPNTransistor 文件：322.52 Kbytes Page：4 Pages	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司
2150	2100SystemRackAdaptersandCabinets DESCRIPTION Model2150: AprewiredrackadapterwhichacceptsoneModel2110B,or2111,andanycombinationoffiveModel2120B,2130,or2131plug-inmodules.Ithasitsownfuseandpowercordandcanbehousedinanystandard19-in[483mm]electronicequipmentrack. Model2155: As	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
2150	CustomerSpecifications Construction 1)Conductor a)MaterialTinnedCopper,perASTMB-33andCID-A-A-59551 b)StrandingSolid c)Diameter0.0063 2)BraidData a)NominalID11/16 b)AWGofEnds34 c)NumberofCarriers48 d)NominalPercentCoverage95 e)TotalNumberofEnds480 f)Approx.Equiv.AWG7 g)A	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线
2150	MetricSnapBushings 文件：155 Kbytes Page：1 Pages	HeycoHeyco. 海科
2150	HEXM/FSTANDOFF 文件：221.2 Kbytes Page：1 Pages	KEYSTONE Keystone Electronics Corp.
2150A	Neon-IncandescentIndicatorLights 文件：221.06 Kbytes Page：1 Pages	CML Chicago Miniature Lamp,inc

TSD2150ACY产品属性

类型
描述
型号
TSD2150ACY
功能描述
两极晶体管 - BJT NPN Transistor
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
VCBO
集电极—发射极最大电压
VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO
- 6 V
增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
Min
100 A
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2

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更新时间：2025-5-11 8:58:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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TSC2302IRGZR
https://hch01.114ic.com/
2020-11-13
TSC695F-25MA-E数字信号处理器和控制器-DSP，DSC
制造商:Microchip 产品种类:数字信号处理器和控制器-DSP，DSC 安装风格:SMD/SMT 封装/箱体:MQFPF 最大工作温度:+125C 商标:MicrochipTechnology/Atmel 产品类型:DSP-DigitalSignalProcessors&Controllers 子类别:EmbeddedProcessors&Controllers
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特点•易门1切断PNP开关晶体管内部的PLL•两个不同的优化放大器在单一封装•集成的栅极保护二极管•低噪声系数，高增益•典型正向互异的31毫秒RESP28毫秒•部份内部自偏置网络芯片•更优越的交叉调制增益下降•高AGC的范围与软斜坡•主AGC控制范围从3V至0.5V的•电源电压5V（3V至7V）•SMD
2012-12-17

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