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TS9414VB_V01

SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip

DESCRIPTION TS9414VBisahighpowerinfrared,940nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedandass

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
更新时间:2025-7-15 11:20:00
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