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TS9410VB_V02

SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip

DESCRIPTION TS9410VBisahighpowerinfrared,940nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES •Packagetype:chip •Packageform:singlechip •Technology:surfaceemitter •Dimensionschip(LxWxH

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
更新时间:2025-7-15 15:39:00
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