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TS9410VB_V01

SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip

DESCRIPTION TS9410VBisahighpowerinfrared,940nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”.  GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedanda

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
更新时间:2025-7-15 13:34:00
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ST
22+
8SO
9000
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ST/意法
24+
SOP8
60000
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