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TS9410VB-SD-F

SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip

DESCRIPTION TS9410VBisahighpowerinfrared,940nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES •Packagetype:chip •Packageform:singlechip •Technology:surfaceemitter •Dimensionschip(LxWxH

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

HighPerformInstr,1Pr#16StrTC,PVCInsE2,PVCJkt,PLTC

ProductDescription HighPerformanceInstrumentation,1Pair16AWG(19x29)TinnedCopper,PVCInsulationE2ColorCode,PVCOuterJacket,PLTC

BELDENBelden Inc.

百通电缆设计科技有限公司

BELDEN

SingleN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesareparticularlysuitedforlow

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

N-Channel20V(D-S)MOSFET

文件:1.0163 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

6-32BINDINGHEADSCREW

文件:248.52 Kbytes Page:1 Pages

KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

KEYSTONE

MACHINESCREWPANPHILLIPS10-32

文件:130.87 Kbytes Page:1 Pages

KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

KEYSTONE
更新时间:2025-7-15 17:02:00
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