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TPS2212DB

SINGLE-SLOT, PARALLEL INTERFACE POWER SWITCH FOR LOW POWER PC CARD SLOTS

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TI

德州仪器

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. Polyfet process features gold metal for greatly extended lifetime

POLYFET

Silicon NPN epitaxial planer transistor

Silicon NPN epitaxial planar transistor For digital circuits ■ Features • Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. • Mini type package allowing easy automatic insertion through tape packing and magazine packing

PANASONIC

松下

Silicon NPN epitaxial planer transistor

Silicon NPN epitaxial planer transistor For switching/digital circuits ■ Features ● Two elements incorporated into one package. (Base-coupled transistors with built-in resistor) ● Reduction of the mounting area and assembly cost by one half.

PANASONIC

松下

NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2026-3-15 15:14:00
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  • TPS2145IPWP-3.3-V的LDO和双开关,用于USB外围电源管理

    描述 双电源分配开关和可调(TPS2145)或固定(TPS2147)的LDO,已纳入一个小包裹,提供了一个电源管理解决方案,可以节省电路板空间60%以上典型的实现。专为满足USB2.0总线供电集线器要求,这些器件还允许核心和I / O在DSP应用中电压排序,或电源分割便携式设备。每个currentlimited开关是340mΩ的N沟道MOSFET的能力供应200毫安的连续电流。逻辑能够兼容5 V逻辑和3 V逻辑控制每个MOSFET以及在TPS2145的LDO。该内部电荷泵提供栅极驱动控制电源开关的上升时间和下降时间,尽量减少在开关的电流浪涌。电荷泵无需外部元件。该LDO也只有

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    描述 该TPS2140/41/50/51是一个USB1.0和2.0规格兼容的芯片包含一个双currentlimiting电源开关和可调低压差稳压器(LDO)。无论是开关和LDO限制浪涌通过控制电流的电源开的转换率。独特的双限流开关的功能,使USB 外设,采用高值电容交换机的输出,同时保持了浪涌电流低。在电源开的,开关电流限制传送到负载电容小于100毫安。当输出电压从交换机达到约93%的输入电压,开关电源良好输出变高,开关电流限制增加到八零零毫安(最低),此时高电流负载可以打开。较高的电流限制提供短短路保护,同时允许周边画从USB总线的最大电流。开关和LDO的独立运

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