位置：首页 > IC中文资料第570页 > TPS1120DRG
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
DUALP-CHANNELENHANCEMENT-MODEMOSFETS 文件：379.72 Kbytes Page：15 Pages | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 |  |   | |
DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.8865 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
CustomerSpecification Construction Diameters(In) 1)Component12X1COND a)Conductor28(7/36)AWGTinnedCopper0.015 b)Insulation0.010Wall,Nom.PVC0.035 (1)ColorCodeAlphaWireColorCodeD CondColorCondColorCondColor 1BLACK2RED 2)CableAssembly2ComponentsCabled a)Twists:12.0Twists/ | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 |  | | |
Cushion-Mount??PlusPlateMountingTapes 文件：309.03 Kbytes Page：4 Pages | 3M 3M Electronics |  | | |
Heyco짰OriginalStrainReliefBushings 文件：137.33 Kbytes Page：1 Pages | ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商 |  | | |
HIGHCURRENTRFCHOKES 文件：38.74 Kbytes Page：1 Pages | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商 |  | | |
3M??EMI/EMCElectronicMaterials 文件：4.87064 Mbytes Page：12 Pages | 3M 3M Electronics | | |
TPS1120DRG产品属性
- 类型
描述
- 型号
TPS1120DRG
- 功能描述
MOSFET Dual P-Ch Enh-Mode MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
21+ |
SOP-8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
3281 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
TI |
22+ |
SOIC-8 |
25000 |
只有原装原装,支持BOM配单 |
|||
TI/TEXAS |
23+ |
原厂封装 |
8931 |
||||
TI/德州仪器 |
2022+ |
SOIC-8 |
8000 |
只做原装支持实单,有单必成。 |
|||
TI |
2020+ |
SOP8 |
2630 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
TI |
24+ |
SOP8 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
|||
TI |
2025+ |
SOP-8 |
3587 |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
|||
TI/德州仪器 |
新年份 |
SOP-8 |
33288 |
原装正品现货,实单带TP来谈! |
|||
TI/德州仪器 |
24+ |
SOP-8 |
12000 |
原装正品 有挂就有货 |
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