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MOSFETs Silicon N-channel MOS

Applications • High-Efficiency DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators Features (1) High-speed switching (2) Small gate charge: QSW = 5.2 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 3.3 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V) (4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V) (

TOSHIBA

东芝

Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-1-3 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
T0SH1BA
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NA/
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TOSHIBA/东芝
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