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MOSFETsSiliconN-channelMOS

Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=5.2nC(typ.) (3)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=3.3mΩ(typ.)(VGS=4.5V) (4)Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) (

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-19 17:06:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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