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MICROWAVEPOWERGAASFET

FEATURES: ■HIGHPOWER P1dB=48.0dBmat1.9GHz ■HIGHGAIN G1dB=13dBat1.9GHz ■PARTIALLYMATCHEDTYPE ■HERMETICALLYSEALEDPACKAGE

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-14 14:32:01
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