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TPD2E1B06价格

参考价格：￥460.0462

型号：TPD2E1B06DRLEVM 品牌：TI 备注：这里有TPD2E1B06多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，TPD2E1B06批发/采购报价，TPD2E1B06行情走势销售排行榜，TPD2E1B06报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TPD2E1B06

TPD2E1B06 Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device

1 Features 1• Provides System Level ESD Protection for Low Voltage IO Interface • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Rating • Low IO Capacitance: 0.85 pF (Typical) • DC Breakdown Voltage: 7 V (Minimum) • Ultra-Low Leakage Current: 10 nA (Maximum) • Low ESD Clamping Voltage • Temperature Range: –40°

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德州仪器

TPD2E1B06

TPD2E1B06 Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device

1 Features 1• Provides System Level ESD Protection for Low Voltage IO Interface • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Rating • Low IO Capacitance: 0.85 pF (Typical) • DC Breakdown Voltage: 7 V (Minimum) • Ultra-Low Leakage Current: 10 nA (Maximum) • Low ESD Clamping Voltage • Temperature Range: –40°

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德州仪器

TPD2E1B06

适用于 USB 2.0 且具有 ESD 等级的双路 1pF、±5.5V、±10kV ESD 保护二极管

TPD2E1B06 是一款双通道超低电容 ESD 保护器件。 它提供 ±10KV IEC 接触 ESD 保护。 其 1pF 线路电容值使得这款器件适合于广泛应用。 典型应用接口为 USB 2.0，低压差分信令 (LVDS) 和 I2C。 有两个针对 TPD2E1B06 的常见布局布线方法并且都在部分中突出显示。 • 为低压输入输出 (IO) 接口提供系统级的静电放电 (ESD) 保护 \n• IO 电容值 1pF（典型值） \n• 超低泄漏电流 10nA（最大值） \n• 车用温度范围：–40°C 至 125°C \n• 小型易于走线的 DRL 封装;

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TPD2E1B06

DUAL CHANNEL HIGH SPEED ESD PROTECTION DEVICE

文件：931.96 Kbytes Page：13 Pages

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TPD2E1B06_V01

TPD2E1B06 Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device

1 Features 1• Provides System Level ESD Protection for Low Voltage IO Interface • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Rating • Low IO Capacitance: 0.85 pF (Typical) • DC Breakdown Voltage: 7 V (Minimum) • Ultra-Low Leakage Current: 10 nA (Maximum) • Low ESD Clamping Voltage • Temperature Range: –40°

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TPD2E1B06DRLR

丝印代码：DUG；TPD2E1B06 Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device

1 Features 1• Provides System Level ESD Protection for Low Voltage IO Interface • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Rating • Low IO Capacitance: 0.85 pF (Typical) • DC Breakdown Voltage: 7 V (Minimum) • Ultra-Low Leakage Current: 10 nA (Maximum) • Low ESD Clamping Voltage • Temperature Range: –40°

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TPD2E1B06DRLR

TPD2E1B06 Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device

1 Features 1• Provides System Level ESD Protection for Low Voltage IO Interface • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Rating • Low IO Capacitance: 0.85 pF (Typical) • DC Breakdown Voltage: 7 V (Minimum) • Ultra-Low Leakage Current: 10 nA (Maximum) • Low ESD Clamping Voltage • Temperature Range: –40°

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TPD2E1B06DRLR.B

TPD2E1B06 Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device

1 Features 1• Provides System Level ESD Protection for Low Voltage IO Interface • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Rating • Low IO Capacitance: 0.85 pF (Typical) • DC Breakdown Voltage: 7 V (Minimum) • Ultra-Low Leakage Current: 10 nA (Maximum) • Low ESD Clamping Voltage • Temperature Range: –40°

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TPD2E1B06DRLR.B

丝印代码：DUG；TPD2E1B06 Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device

1 Features 1• Provides System Level ESD Protection for Low Voltage IO Interface • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Rating • Low IO Capacitance: 0.85 pF (Typical) • DC Breakdown Voltage: 7 V (Minimum) • Ultra-Low Leakage Current: 10 nA (Maximum) • Low ESD Clamping Voltage • Temperature Range: –40°

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TPD2E1B06DRLRG4

TPD2E1B06 Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device

1 Features 1• Provides System Level ESD Protection for Low Voltage IO Interface • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Rating • Low IO Capacitance: 0.85 pF (Typical) • DC Breakdown Voltage: 7 V (Minimum) • Ultra-Low Leakage Current: 10 nA (Maximum) • Low ESD Clamping Voltage • Temperature Range: –40°

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TPD2E1B06DRLRG4.B

TPD2E1B06 Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device

1 Features 1• Provides System Level ESD Protection for Low Voltage IO Interface • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Rating • Low IO Capacitance: 0.85 pF (Typical) • DC Breakdown Voltage: 7 V (Minimum) • Ultra-Low Leakage Current: 10 nA (Maximum) • Low ESD Clamping Voltage • Temperature Range: –40°

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TPD2E1B06DRLRG4.B

丝印代码：DUL；TPD2E1B06 Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device

1 Features 1• Provides System Level ESD Protection for Low Voltage IO Interface • IEC 61000-4-2 Level 4 ESD Rating • Low IO Capacitance: 0.85 pF (Typical) • DC Breakdown Voltage: 7 V (Minimum) • Ultra-Low Leakage Current: 10 nA (Maximum) • Low ESD Clamping Voltage • Temperature Range: –40°

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TPD2E1B06DRLEVM

功能：静电放电（ESD） 包装：盒 描述：EVAL MODULE FOR TPD2E1B06DRL 开发板，套件，编程器 评估和演示板及套件

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TPD2E1B06DRLR

封装/外壳：SOT-563，SOT-666 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TVS DIODE 5.5VWM 15VC 6SOT 电路保护 TVS - 二极管

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德州仪器

TPD2E1B06DRLR

DUAL CHANNEL HIGH SPEED ESD PROTECTION DEVICE

文件：931.96 Kbytes Page：13 Pages

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FPD2E1B06DRLR

Ultra low capacitance ESD Protection for Ethernetports

Features Ultra low capacitance: 0.6pF typical Ultra low leakage: nA level Low operating voltage: 5.5V Bi-directional TVS Diode Array Low clamping voltage Complies with following standards: IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±20kV Contact discharge: ±15kV – IEC 61000-4-5 Sur

FS

TPD2E1B06产品属性

  • 类型

    描述

  • IO capacitance (Typ) (pF)：

    1

  • Vrwm (V)：

    5.5

  • IEC 61000-4-2 contact (+/- kV)：

    10

  • IEC 61000-4-5 (A)：

    2.5

  • Features：

    —

  • Bi-/uni-directional：

    Bi-Directional

  • IO leakage current (Max) (nA)：

    10

  • Rating：

    Catalog

  • Operating temperature range (C)：

    -40 to 125

  • Dynamic resistance (Typ) (Ω)：

    0.9

  • Clamping voltage (V)：

    11

TPD2E1B06供应商更多...

更新时间：2026-5-20 22:59:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
TPD2E1B06DRLR
TI
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SOT-666-6
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市毅创腾电子科技有限公司
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深圳市拓亿芯电子有限公司
TPD2E1B06DRLR
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SOT23-6
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专营TI进口原装假一罚万
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