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TNT839晶体管资料

  • TNT839别名：TNT839三极管、TNT839晶体管、TNT839晶体三极管

  • TNT839生产厂家：

  • TNT839制作材料：Si-NPN

  • TNT839性质：通用 （G）

  • TNT839封装形式：贴片封装

  • TNT839极限工作电压：45V

  • TNT839最大电流允许值：

  • TNT839最大工作频率：<1MHZ或未知

  • TNT839引脚数：3

  • TNT839最大耗散功率：0.1W

  • TNT839放大倍数：

  • TNT839图片代号：G-31

  • TNT839vtest：45

  • TNT839htest：999900

  • TNT839atest：0

  • TNT839wtest：0.1

  • TNT839代换 TNT839用什么型号代替：3DG100B,

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
839B

SurfaceMountZenerDiodes

Features ●latHandlingSurfaceforAccuratePlacement ●tandardZenerBreakdownVoltageRange-3.3Vto68V ●owProfilePackage

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN
ADG839

0.35ohmCMOS1.65Vto3.6VSingleSPDTSwitch/2:1MUX

GENERALDESCRIPTION TheADG839isalowvoltageCMOSdevicecontainingasinglepole,double-throw(SPDT)switch.Thisdeviceoffersultralowonresistanceoflessthan0.6Ωoverthefulltemperaturerange.TheADG839isfullyspecifiedfor1.8V,2.5V,and3.3Vsupplyoperation. FEATURES 1.65

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
ADG839YKSZ-REEL

0.35ohmCMOS1.65Vto3.6VSingleSPDTSwitch/2:1MUX

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ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
BD839

iscSiliconNPNPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=45V(Min) •HighDCCurrentGain •LowSaturationVoltage •ComplementtoTypeBD840 •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuseintelevisioncircu

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
AN839

NovelCurrent-SenseMeasurementwithAutomaticOffsetCorrection

文件：131.1 Kbytes Page：5 Pages

SILABS

Silicon Laboratories

SILABS

TNT839供应商更多...

更新时间：2025-7-16 16:22:02
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