型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TN6725A

NPN Darlington Transistor

NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics.

FAIRCHILD

仙童半导体

TN6725A

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 包装:散装 描述:TRANS NPN DARL 50V 1.2A TO226-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

NPN Darlington Transistor

NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics.

FAIRCHILD

仙童半导体

封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长基体(成形引线) 包装:散装 描述:TRANS NPN DARL 50V 1.2A TO226 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

One Watt Darlington Transistors

One Watt Darlington Transistors NPN Silicon

MOTOROLA

摩托罗拉

One Watt Darlington Transistors NPN Silicon

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ONSEMI

安森美半导体

One Watt Darlington Transistors NPN Silicon

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ONSEMI

安森美半导体

One Watt Darlington Transistors NPN Silicon

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ONSEMI

安森美半导体

13 AMP PROGRAMMABLE INTEGRATED SWITCHING REGULATOR

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TI

德州仪器

TN6725A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TN6725A

  • 功能描述

    TRANS DARL NPN 50V 1.2A TO-226

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    1A 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    30V

  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)

    200mV @ 100mA,1A 电流 -

  • 集电极截止(最大)

    100nA 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    300 @ 500mA,5V 功率 -

  • 最大

    710mW 频率 -

  • 转换

    100MHz

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    MMBT489LT1GOSDKR

更新时间:2026-3-15 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi
25+
TO-226
22412
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
onsemi
25+
TO-226
22412
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
仙童
24+
TO-92L
4000
NSC
24+
TO-226
6868
原装现货,可开13%税票
FAIRCHILD/仙童
23+
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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原装进口特价供应特价,原装元器件供应,支持开发样品更多详细咨询库存
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TO226
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TO-226-3 TO-92-3 长基体(成形
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