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N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs

LowThresholdDMOSTechnology Theselowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertexswell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththe

SUTEX

Supertex, Inc

SUTEX

TN2535N8-G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TN2535N8-G

  • 功能描述

    MOSFET 350V 10Ohm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-13 23:34:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
24+
D2PAK-2 (TO-263-2)
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
ST(意法半导体)
24+
TO2633
7350
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ST/意法半导体
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D2PAK-2 (TO-263-2)
8080
只做原装,质量保证
TN2535N8
2000
2000
SUPERTEX
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SMD
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ST
22+
TO-263
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SUPERTEX
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SOT-89-3
6230
只做原装正品
ST
TO-263
22+
6000
十年配单,只做原装
ST/意法半导体
2023+
D2PAK-2 (TO-263-2)
6000
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供
NK/南科功率
2025+
SOT-89
986966
国产

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