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TN2219A晶体管资料

  • TN2219A别名：TN2219A三极管、TN2219A晶体管、TN2219A晶体三极管

  • TN2219A生产厂家：

  • TN2219A制作材料：Si-NPN

  • TN2219A性质：

  • TN2219A封装形式：直插封装

  • TN2219A极限工作电压：75V

  • TN2219A最大电流允许值：0.8A

  • TN2219A最大工作频率：<1MHZ或未知

  • TN2219A引脚数：3

  • TN2219A最大耗散功率：1.2W

  • TN2219A放大倍数：

  • TN2219A图片代号：A-80

  • TN2219Avtest：75

  • TN2219Ahtest：999900

  • TN2219Aatest：0.8

  • TN2219Awtest：1.2

  • TN2219A代换 TN2219A用什么型号代替：3DK30C,

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TN2219A

NPN General Purpose Amplifier

NPN General Purpose Amplifier This device is for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA. Sourced from Process 19. See PN2222A for characteristics.

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NPN General Purpose Amplifier

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仙童半导体

TN2219A

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CENTRAL

TN2219A

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） 包装：散装 描述：TRANS NPN 40V 1A TO226-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

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NPN General Purpose Amplifier

ONSEMI

安森美半导体

TN2219A_01

NPN General Purpose Amplifier

文件：432.99 Kbytes Page：7 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

TN2219A_D26Z

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） 包装：散装 描述：TRANS NPN 40V 1A TO226 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

FTSO2219

NPN Small Signal General Purpose Amplifiers

NPN Small Signal General Purpose Amplifiers NPN Small Signal General Purpose Amplifiers & Switches

FAIRCHILD

仙童半导体

PN2219A

NPN Small Signal General Purpose Amplifiers

NPN Small Signal General Purpose Amplifiers NPN Small Signal General Purpose Amplifiers & Switches

FAIRCHILD

仙童半导体

UN2219

Silicon NPN epitaxial planer transistor

Silicon NPN epitaxial planar transistor For digital circuits ■ Features • Costs can be reduced through downsizing of the equipment and reduction of the number of parts. • Mini type package allowing easy automatic insertion through tape packing and magazine packing

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SEME-LAB

D2219UK

METAL GATE RF SILICON FET

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SEME-LAB

TN2219A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TN2219A

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Dbl-Dif SI Exptl Plnr

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

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更新时间：2026-5-18 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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