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65,536x1BITDYNAMICRANDOMACCESSMEMORY

DESCRIPTION TheNEC/lPD4164isa65,536wordsby1bitDynamicN-ChannelMOSRAMdesigned tooperatefromasingle+5Vpowersupply.Thenegative-voltagesubstratebiasis internallygenerated-itsoperationisbothautomaticandtransparent. The/lPD4164utilizesadouble-poly-layerN-chann

NECRenesas Electronics America

瑞萨日本瑞萨电子株式会社

NEC
更新时间:2025-7-18 22:59:01
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