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MOSFET??Power,SingleN-Channel80V,3.7m,123A

Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •NVMFS6H818NWF−WettableFlankOptionforEnhancedOpticalInspection •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Freeand

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI
更新时间:2025-7-21 23:00:01
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