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TMA8N60H

VD MOS

WUMC

紫光国微

7.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 8N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching ap

UTC

友顺

isc N-Channel Mosfet Transistor

·FEA TURES ·Drain Current –ID= 7.5A@TC=25℃ ·Drain Source Voltage-: VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-SourceOn-Resistance : RDS(on) = 1.2Ω(Max) ·Avalanche Energy Specified ·Fast Switching ·Simple Drive Requirements ·DESCRITION ·Designed for high effi

ISC

无锡固电

7.5 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

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UTC

友顺

N-CHANNEL POWER MOSFET

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ZSELEC

淄博圣诺

8A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

更新时间:2026-1-6 8:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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DSBGA-6(0.8x1.3)
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