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TLV9002-Q1 | TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C6 • Scalable CMOS amplifier for low-cost applications • Rail-to-rail input and output • Low input offset volt | TI 德州仪器 |   | |
TLV9002-Q1 | TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C6 • Scalable CMOS amplifier for low-cost applications • Rail-to-rail input and output • Low input offset volt | TI 德州仪器 | | |
TLV9002-Q1 | TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C6 • Scalable CMOS amplifier for low-cost applications • Rail-to-rail input and output • Low input offset volt | TI 德州仪器 | | |
TLV9002-Q1 | TLV900x Low-Power, RRIO, 1-MHz Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems 1 Features • Scalable CMOS amplifier for low-cost applications • Rail-to-rail input and output • Low input offset voltage: ±0.4 mV • Unity-gain bandwidth: 1 MHz • Low broadband noise: 27 nV/√Hz • Low input bias current: 5 pA • Low quiescent current: 60 μA/Ch • Unity-gain stable • Internal | TI 德州仪器 | | |
TLV9002-Q1 | TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C6 • Scalable CMOS amplifier for low-cost applications • Rail-to-rail input and output • Low input offset volt | TI 德州仪器 | | |
TLV9002-Q1 | TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1MHz Automotive Operational Amplifier 1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications – Temperature grade 1: –40°C to +125°C, TA – Device HBM ESD classification level 2 – Device CDM ESD classification level C6 • Scalable CMOS amplifier for low-cost applications • Rail-to-rail input and output • Low input offset volt | TI 德州仪器 | | |
TLV9002-Q1 | Automotive-grade, dual, 5.5-V, 1-MHz, RRIO operational amplifier for cost-optimized applications | TI 德州仪器 | | |
TLV9002-Q1 | TLV900x Low-Power, RRIO, 1-MHz Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems 文件：5.46205 Mbytes Page：86 Pages | TI 德州仪器 | | |
TLV9002-Q1 | TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 文件：997.26 Kbytes Page：32 Pages | TI 德州仪器 | | |
TLV9002-Q1 | TLV900x Low-Power, RRIO, 1-MHz Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems 文件：5.32948 Mbytes Page：82 Pages | TI 德州仪器 | | |
TLV9002-Q1 | TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 文件：1.23746 Mbytes Page：32 Pages | TI 德州仪器 | | |
TLV9002-Q1 | TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 文件：1.89383 Mbytes Page：37 Pages | TI 德州仪器 | | |
TLV9002-Q1 | TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 文件：2.70269 Mbytes Page：44 Pages | TI 德州仪器 | | |
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TLV900x-Q1 Low-Power RRIO 1-MHz Automotive Operational Amplifier 文件：1.89383 Mbytes Page：37 Pages | TI 德州仪器 | |
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TI(德州仪器) |
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TI(德州仪器) |
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进口原装现货 支持实单价优 |
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TI/德州仪器 |
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VSSOP8 |
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2022-6-15TLV8544PWR TSSOP14 TI/德州仪器 运放IC全新现货 进口原装
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2021-8-17TLV8811 单通道 425nA 毫微功耗放大器
TLV8811（单通道）和 TLV8812（双通道）系列精密超低功耗运算放大器是面向电池供电无线设备和低功耗有线设备中的成本优化型、“始终开启”感测 应用 的理想选择。凭借 6kHz 带宽、425nA 静态电流以及削减至 500μV 以下的偏移电压，
2021-8-4TLV9022低压、轨对轨I/O双比较器
TLV902x和TLV903x是一系列双通道和四通道比较器。该系列提供低输入偏移电压、集成上电复位（POR）电路和容错输入，具有良好的速度-功率组合和100 ns的传播延迟。工作电压范围为1.65 V至5.5 V，每个通道的静态电源电流为18μa。
2021-7-11
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