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100V,60AEnhancementModeGaNPowerTransistor

Features •VerylowrDS(ON)5mΩ(typical) •Ultralowtotalgatecharge14nC(typical) •SEEhardness(seeSEEreportfordetails) •SEL/SEBLETTH(VDS=100V,VGS=0V): 86MeV•cm2/mg •ISL70023SEHradiationacceptingtesting •Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) •Lowdoserate

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

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Features ▪VerylowrDS(ON)5mΩ(typical) ▪Ultralowtotalgatecharge14nC(typical) ▪SEEhardness(seeSEEreportfordetails) •SEL/SEBLETTH(VDS=100V,VGS=0V): 86MeV•cm2/mg(Si) ▪ISL70023SEHradiationacceptingtesting •Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) •Lowdoser

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Features •VerylowrDS(ON)5mΩ(typical) •Ultralowtotalgatecharge14nC(typical) •SEEhardness(seeSEEreportfordetails) •SEL/SEBLETTH(VDS=100V,VGS=0V): 86MeV•cm2/mg •ISL70023SEHradiationacceptingtesting •Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) •Lowdoserate

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Features •VerylowrDS(ON)5mΩ(typical) •Ultralowtotalgatecharge14nC(typical) •SEEhardness(seeSEEreportfordetails) •SEL/SEBLETTH(VDS=100V,VGS=0V): 86MeV•cm2/mg •ISL70023SEHradiationacceptingtesting •Highdoserate(50-300rad(Si)/s):100krad(Si) •Lowdoserate

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更新时间:2025-7-19 22:58:01
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    2021-6-30
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