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TK7A90E

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.6 Ω (typ.) (2) Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 720 V) (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.7 mA)

TOSHIBA

东芝

TK7A90E

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =2.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

TK7A90E

Power MOSFET (N-ch 700V VDSS)

TOSHIBA

东芝

500-mA, High-Accuracy, Low-Noise LDO Voltage Regulator

文件:2.12596 Mbytes Page:33 Pages

TI

德州仪器

TPS7A90 500-mA, High-Accuracy, Low-Noise LDO Voltage Regulator

文件:3.16712 Mbytes Page:34 Pages

TI

德州仪器

更新时间:2025-9-28 20:00:00
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