TK32E12N1价格
参考价格：￥3.5218
型号：TK32E12N1,S1X 品牌：Toshiba 备注：这里有TK32E12N1多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，TK32E12N1批发/采购报价，TK32E12N1行情走势销售排行榜，TK32E12N1报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TK32E12N1 | Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V) Application Scope：Switching regulators\nPolarity：N-ch\nGeneration：U-MOSⅧ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：中国 Drain current ID 60 A \nPower Dissipation PD 98 W \nDrain-Source voltage VDSS 120 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ; | TOSHIBA 东芝 |   | |
TK32E12N1 | isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：337.98 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | |
TK32E12N1 | 丝印代码：K32E12N1；MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H) 文件：257.89 Kbytes Page：9 Pages | TOSHIBA 东芝 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：337.98 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
TK32E12N1产品属性
- 类型
描述
- Polarity：
N-ch
- VDSS(V)：
120
- VGSS(V)：
+/-20
- ID(A)：
60
- PD(W)：
98
- Ciss(pF)：
2000
- Qg(nC)：
34
- =10V：
0.0138
- Number of pins：
3
- Surface mount package：
N
- Package name(Toshiba)：
TO-220
- Generation：
U-MOSⅧ-H
- Type：
High-speed switching
- Width×Length×Height(mm)：
10.16 x 15.1 x 4.45
- Package Size(mm^2)：
153.42
- Drive voltage type：
10V Gate Drive
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA(东芝) |
26+ |
10548 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TK32E12N1规格书下载地址
TK32E12N1参数引脚图相关
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2020-2-26TK150E09NE深圳市光华微科技有限公司18138231376
TK150E09NE TOSHIBA/东芝 TO-220
2019-6-26
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